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正规买球app十佳排行官网-欢迎你!—ARM与中芯国际针对移动与消费应用扩展28纳米制程工艺IP合作

来源:正规买球app十佳排行点击: 发布时间:2023-02-27 11:08
本文摘要:电子工程网,2014年2月9日讯--ARM与中国内地规模仅次于、技术最先进设备的集成电路晶圆代工企业中芯国际(纽约交易所:SMI;香港联交所:981)今日联合宣告,双方针对ARMArtisan物理IP签定合作协议,为中芯国际的28纳米polySiON(PS)制程工艺获取高性能、高密度、低功耗的系统级芯片(SoC)设计反对。 基于这项合作,中芯国际与ARM将为广大的消费应用于获取全面的物理IP平台与先进设备制程工艺技术。

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电子工程网,2014年2月9日讯--ARM与中国内地规模仅次于、技术最先进设备的集成电路晶圆代工企业中芯国际(纽约交易所:SMI;香港联交所:981)今日联合宣告,双方针对ARMArtisan物理IP签定合作协议,为中芯国际的28纳米polySiON(PS)制程工艺获取高性能、高密度、低功耗的系统级芯片(SoC)设计反对。  基于这项合作,中芯国际与ARM将为广大的消费应用于获取全面的物理IP平台与先进设备制程工艺技术。这些应用于皆针对较慢茁壮的智能手机、平板电脑、无线设备、以及智能家居等市场。  中芯国际设计服务中心资深副总裁汤天申博士回应:我们对于需要反对ARMArtisan标准单元与新一代内存编译器,深感十分高兴。

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这次与ARM的更进一步合作将有助我们的客户在成本与功耗上构建更加出色的SoC设计。  ARM继续执行副总裁兼物理设计部门总经理DipeshPatel博士回应:ARMArtisan标准单元与内存编译器可为客户获取高质量与合乎硅标准的设计产品,几乎符合客户在延长上市时间的拒绝。通过与中芯国际加剧在28纳米PS工艺上的合作,ARM再度贯彻了我们的一贯允诺与业界领先的晶圆代工企业强强合力,为客户获取最佳的SoC设计构建。

  ARM物理IP平台  针对中芯国际28纳米polySiON(PS)制程工艺的ARMArtisan物理IP平台,为构建普遍的性能范围及经过面积优化的低功耗SoC设计获取了基础构件。同时,ARM经过硅检验的IP平台获取了全面的整套内存编译器、标准单元与逻辑IP以及通用型的模块产品,以应付大部分移动通信与计算出来对性能与功耗的市场需求。  通过ARM标准单元库及内存编译器,因应多闸极及混合阈值电压(Vt)特性,用户不仅需要利用到中芯国际polySiON尖端制程工艺的性能与功耗范围,还将取得更加普遍的性能与功率序。

这些特性保证了在推崇性能的SoC设计的同时,也能符合功耗市场需求。


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